Инженеры из Кореи научились упаковывать более 10 чипов в один слой

Корейские специалисты объединили два этапа сборки: перенос кристаллов и формирование металлических связей между ними. Традиционно эти процессы разделены, но новый подход позволяет проводить монтаж и создание электрических контактов одновременно. Это критически важно для микросхем памяти HBM, где вертикальное наращивание слоев часто приводит к изгибам и микротрещинам из-за экстремальной тонкости компонентов.

Процесс сборки происходит при температуре ниже 180 °C и давлении менее 20 кПа, что минимизирует деформацию кристаллов и сохраняет точность позиционирования. Испытания показали, что плотность интеграции при такой архитектуре возрастает в четыре раза по сравнению с серийными 12-слойными решениями. Подобное уплотнение вычислительных мощностей необходимо для ускорителей искусственного интеллекта, где критически важны компактность и энергоэффективность. Помимо памяти, метод открывает перспективы для производства Micro LED дисплеев и корпусирования сложных чиплетов.