Главная→Технологии→Китай представил прототип собственного EUV-источника
Технологии

Китай представил прототип собственного EUV-источника

На промышленной выставке в Шанхае компания Landau Flint презентовала прототип источника экстремального ультрафиолетового излучения. Эта разработка призвана преодолеть технологическую изоляцию КНР в секторе фотолитографии, где создание чипов по техпроцессу 7 нм и меньше до сих пор требовало доступа к западным компонентам, попавшим под жесткие экспортные ограничения.

Китай представил прототип собственного EUV-источника

Система демонстрирует высокий уровень локализации: 90% компонентов созданы внутри страны. Прототип основан на технологии лазерно-индуцированной плазмы, которая разрабатывалась совместно с Университетом Цинхуа. На текущем этапе установка FlintNano LPP-OXXO выдает мощность излучения свыше 15 Вт при 100-часовом цикле работы, что пока кратно ниже требований промышленного производства, где необходимы показатели в сотни ватт.

Команда Landau Flint, получившая поддержку от SMIC Capital, планирует довести технологию до серийного выпуска в ближайшие три-пять лет. Сейчас усилия инженеров сосредоточены на повышении стабильности плазмы и наращивании мощности. Несмотря на раннюю стадию проекта, демонстрация рабочего образца подтверждает готовность китайских разработчиков к созданию полного цикла оборудования для выпуска передовых микросхем, минимизируя зависимость от внешних поставщиков.

Комментарии (0)

Оставить комментарий

Пока нет комментариев. Будьте первым!