Команда под руководством Ён-Хун Кима применила метод «первых принципов» для анализа поведения электронов в транзисторах на базе дисульфида молибдена. В отличие от традиционных подходов, методика MS-DFT позволила смоделировать сложные интерфейсы на атомном уровне без подгонки результатов под эксперимент. Выяснилось, что критическая длина туннелирования не является застывшей константой, а напрямую зависит от работы выхода металла и геометрии контакта.
Ученые нашли способ преодолеть физический предел миниатюризации чипов
Квантовое туннелирование долгое время считалось непреодолимым барьером для уменьшения транзисторов ниже критических размеров. Исследователи из KAIST доказали, что фундаментальный предел в 4 нанометра можно сдвинуть, перейдя от эмпирических проб к точному квантово-механическому моделированию контактов металл-полупроводник, что открывает путь к созданию процессоров нового поколения.
Инженеры получили возможность управлять границами масштабируемости, подбирая конфигурации материалов для минимизации утечек тока. Предложенная стратегия проектирования переводит создание полупроводников из зоны случайных экспериментальных попыток в область предсказуемой архитектуры. Это позволит разработчикам заранее оценивать эффективность будущих чипов, сокращая затраты на физическое прототипирование и приближая массовое производство устройств с топологией менее 4 нанометров.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!