
Китайские ученые разработали транзистор с рекордным усилением сигнала
Исследователи из Института металлов Китайской академии наук создали транзистор, объединивший кремний, германий и графен. Инновационная архитектура позволила достичь коэффициента усиления тока в 18 миллионов единиц, что стало мировым рекордом для полупроводниковых компонентов подобного типа и открывает путь к созданию электроники, работающей на терагерцовых частотах.














